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產(chǎn)品中心導(dǎo)熱儀TFA-薄膜綜合物性分析儀TFA L59薄膜綜合物性分析儀
產(chǎn)品簡(jiǎn)介：新型林賽斯 薄膜綜合物性分析儀 TFA L59，是一款高度集成、易于操作的薄膜物性測(cè)量平臺(tái)。它采用獨(dú)特預(yù)結(jié)構(gòu)化芯片，支持多種沉積方法，可在單次測(cè)量中同時(shí)精確獲得薄膜的導(dǎo)熱系數(shù)、塞貝克系數(shù)、電阻率等多種關(guān)鍵物理參數(shù)，溫度范圍覆蓋-160°C至280°C，是半導(dǎo)體、陶瓷及有機(jī)材料薄膜研發(fā)的工具。
產(chǎn)品型號(hào)：TFA L59
更新時(shí)間：2026-02-05
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
訪問(wèn)量：7537
服務(wù)熱線86-021-50550642
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新型林賽斯 薄膜綜合物性分析儀 TFA L59 設(shè)備可用于表征薄膜的物理特性，它是一個(gè)高度集成且易于使用的測(cè)量平臺(tái)。
TFA L59 基本配置包括一個(gè)測(cè)量芯片（樣品可以輕松地沉積在其上面）以及一個(gè)用于提供所需環(huán)境條件的測(cè)量腔室。根據(jù)應(yīng)用的不同，該配置可與鎖相放大器和 / 或強(qiáng)電磁體配合使用。測(cè)量通常在高真空條件下進(jìn)行，并且在測(cè)量過(guò)程中，利用液氮（LN2）和功率強(qiáng)勁的加熱器，樣品溫度可控制在 -160 ℃ 至 280 ℃ 之間。
該芯片融合了用于測(cè)量導(dǎo)熱系數(shù)的 3ω 測(cè)試技術(shù)，以及用于測(cè)定電輸運(yùn)性能的四探針?lè)兜卤y(cè)試結(jié)構(gòu)，塞貝克系數(shù)可以通過(guò)位于范德堡電極附近集成的電阻溫度計(jì)來(lái)測(cè)量。為了便于樣品制備，可以使用剝離箔掩模或金屬蔭罩。
這種配置允許對(duì)通過(guò)物理氣相沉積（PVD，例如熱蒸發(fā)、濺射、分子束外延）、化學(xué)氣相沉積（CVD，例如原子層沉積）、旋涂、滴鑄或噴墨打印等方法制備的樣品，在一步操作中幾乎同時(shí)進(jìn)行表征。
該系統(tǒng)的一大優(yōu)勢(shì)在于能夠在一次測(cè)量過(guò)程中同時(shí)測(cè)定多種物理性質(zhì)。所有的測(cè)量都是在相同的（面內(nèi)）方向上進(jìn)行的，因此具有很強(qiáng)的可比性。
林賽斯 薄膜綜合物性分析儀 TFA L59
| 類型 | TFA L59 | ||
| 溫度范圍： | RT - 280 °C -160 °C - 280 °C | 電子電路： | 集成式 |
| 樣品厚度： | 5 nm - 25 μm（取決于樣品） | 接口： | USB |
| 測(cè)量原理： | 基于芯片構(gòu)造（預(yù)結(jié)構(gòu)化測(cè)量芯片，每盒 24 個(gè)） | 導(dǎo)熱系數(shù)： | 0.05 - 200 W/(m?K) |
| 樣品制備方法： | 物理氣相沉積（濺射、蒸發(fā)）、原子層沉積、旋涂、噴墨打印等 | 電阻率： | 0.05 - 1 × 106 S/cm |
| 測(cè)量參數(shù)： | 導(dǎo)熱系數(shù) （3ω 法） 比熱容 | 塞貝克系數(shù)： | 5 - 2500 μV/K |
| 可選模塊： | 塞貝克系數(shù) / 電導(dǎo)率 / 電阻率 霍爾常數(shù) / 霍爾遷移率 / 電荷載流子密度 (電磁體（磁場(chǎng)強(qiáng)度）可達(dá) 1 T，永磁體（磁場(chǎng)強(qiáng)度）為 0.5 T) | 霍爾遷移率： | 1 - 107（cm2/Volt sec） |
| 真空度： | 可達(dá) 10-5 mbar | 載流子濃度： | 107 - 1021（1/cm3） |
企業(yè)名稱：林賽斯（上海）科學(xué)儀器有限公司
公司地址：上海市浦東新區(qū)陸家嘴數(shù)智天地·智慧谷T3棟120號(hào)
企業(yè)郵箱：links@linseis.com.cn
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